高电子场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高电子场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，形成露出所述势垒层的第一窗口；在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层；基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层。应用本发明专利技术提供的技术方案，可以有效提高AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀重复性以及平整度，降低刻蚀随机性，提高器件性能。提高器件性能。提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
高电子场效应晶体管及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件及其制作工艺
，更具体的说，涉及一种高电子场效应晶体管(HEMT)及其制作方法。

技术介绍

[0002]AlGaN/GaN高电子场效应晶体管(HEMT)凭借其宽禁带、高临界雪崩击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特点，已经成为高温、高频、高功率密度和高效率等领域的研究热点，被认为是当前最理想的微波功率器件。
[0003]在AlGaN/GaN HEMT中，采用凹栅槽结构可以有效提高AlGaN/GaN HEMT的栅调控能力，对器件能否获得大电流输出能力、良好跨导特性以及肖特基特性起到决定性作用。但是栅槽刻蚀会造成AlGaN表面损伤，导致栅极漏电增大，降低器件击穿电压。同时还降低二维电子气的密度和迁移率，导致器件的性能降低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种高电子场效应晶体管及其制作方法，可以有效提高AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀重复性以及平整度，降低刻蚀随机性，提高器件性能。
[0005]为了实现上述目的，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电子场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，形成露出所述势垒层的第一窗口；在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层；基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述钝化层进行刻蚀的方法包括：在所述钝化层背离所述势垒层的一侧表面形成电子束光刻胶层；通过光刻工艺，在所述光刻胶层形成第二窗口；基于所述第二窗口，对所述钝化层进行刻蚀，形成所述第一窗口。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述势垒层包括：位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的AlGaN势垒层以及位于所述AlGaN势垒层背离所述缓冲层一侧表面的GaN帽层；在所述第一窗口露出的所述势垒层表面形成氧化层的方法包括：基于所述钝化层以及所述光刻胶层，在所述势垒层表面形成所述氧化层。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，基于O2等离子体，在所述势垒层表面形成所述氧化层。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，基于所述第一窗口刻蚀去除所述氧化层以及部分所述势垒层的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳，魏珂，袁婷婷，张昇，杜泽浩，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：