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本发明提供一种三维单片集成器件结构及其制备方法，三维单片集成器件结构包括：半导体基底，栅氧化层，源极结构，漏极结构，栅极结构以及隔离结构，隔离结构中形成有空气腔。本发明的半导体高速器件及制作方法以及三维单片集成器件结构，在隔离结构中形成空气...
该专利属于微龛（广州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛（广州）半导体有限公司授权不得商用。

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