下载半导体结构及其制造方法的技术资料

文档序号:28752034

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括:衬底,包括相互间隔排布的有源区和浅沟槽隔离区;多个隔离结构,位于所述衬底表面;多个凹槽,位于所述多个隔离结构之间,所述凹槽的底部具有第一斜面,所述第一斜面形成于所述有源区;导电插塞,位于...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。