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本申请实施例公开了一种半导体测试结构和测试方法，包括：第一测试结构、第二测试结构和第三测试结构；其中，所述第一测试结构包括场效应晶体管和第一金属结构；所述第一金属结构包括n个与所述掺杂区连接的接触插塞以及与所述接触插塞连接的金属层，n为大于...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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