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本发明提供一种瞬态电压抑制二极管结构及其制造方法。瞬态电压抑制二极管结构包括基板、N-型外延层，第一金属层、第一N+型注入层、深层N+型注入层以及多个多晶柱。N-型外延层设置于基板上，第一金属层设置于N-型外延层上，且组配形成工作电压端，第...
该专利属于台湾茂矽电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾茂矽电子股份有限公司授权不得商用。

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