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垂直半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：交替层叠物，其设置在下结构上方并且包括交替地层叠的多个栅电极和多个介电层；存储器层叠结构，其包括延伸以穿透交替层叠物的沟道层以及围绕沟道层的存储器层；源极接触层，其与垂直沟道层的下外壁接触并且...
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