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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法。所述嵌入式电极结构LED器件包括从下到上依次排列的第二硅衬底、键合层、第一钝化层、金属层、反射镜层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层...
该专利属于广州市艾佛光通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州市艾佛光通科技有限公司授权不得商用。

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