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本发明实施例提供了一种MOS晶体管特征提取方法、装置、介质及电子设备，涉及半导体器件测试技术领域，所述MOS晶体管的第一掺杂区通过导线与第一引出焊盘电连接，特征提取方法包括：获取所述导线的布线电阻；获取所述MOS晶体管的第一掺杂区的扩散电阻...
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