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在一个实施例中，该方法用于生产光电半导体器件（1），并且包括以下步骤：‑提供发光二极管芯片（2）和磷光体本体（3），‑将牺牲层（4）仅应用到磷光体本体（3）的顶侧（30），‑将磷光体本体（3）放置到发光二极管芯片（2）上，‑借助于膜辅助模制...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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在一个实施例中，该方法用于生产光电半导体器件（1），并且包括以下步骤：‑提供发光二极管芯片（2）和磷光体本体（3），‑将牺牲层（4）仅应用到磷光体本体（3）的顶侧（30），‑将磷光体本体（3）放置到发光二极管芯片（2）上，‑借助于膜辅助模制...