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在本发明提供的一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，通过执行第一干法刻蚀工艺以去除部分所述栅极材料层，以及执行第二干法刻蚀工艺以形成栅极，其中，所述第一干法刻蚀工艺为各向异性刻蚀；所述第二干法刻蚀工艺为各向同性刻蚀；各向同性刻蚀工艺，减少了垂直...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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