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本申请实施例中提供了一种沟槽栅功率器件及其制备方法，所述沟槽栅功率器件的制备方法包括：在半导体基板中形成沟槽栅型MOS结构，所述沟槽栅型MOS结构包括体区、第一沟槽、第二沟槽、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一多晶硅、第二多晶硅、源区...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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