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一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中，与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘...
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