【技术实现步骤摘要】
具有金属氧化物半导体结构的半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年11月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0150271的利益和优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本公开涉及一种半导体装置，更具体地说，涉及一种具有金属氧化物半导体(MOS)结构的半导体装置。
技术介绍
电子装置正变得越来越紧凑、更轻、更通用。因此，金属氧化物半导体(MOS)晶体管常被用在各种类型的半导体装置中。这种功率MOS晶体管的一个示例是横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。在LDMOS晶体管中，沟道区和漏电极被漂移区和/或阱区分开，因此其操作可以由栅电极控制。
技术实现思路
一种半导体装置包括半导体衬底。具有第一导电类型的漂移区设置在半导体衬底中。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区在漂移区中与主体区相对设置。漏极隔离绝缘膜设置在漂移区的邻近于漏极区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，并且在主体区的一部分和漂移区的一部...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n半导体衬底；/n漂移区，其设置在所述半导体衬底中，所述漂移区具有第一导电类型；/n主体区，其设置在所述半导体衬底中，邻近于所述漂移区，所述主体区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；/n漏极区，其设置在所述漂移区中，与所述主体区相对；/n漏极隔离绝缘膜，其设置在所述漂移区的邻近于所述漏极区的一部分中；/n栅极绝缘膜，其设置在所述半导体衬底上，并且在所述主体区的一部分和所述漂移区的一部分上方延伸；以及/n栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且具有在平面图中由所述栅电极完全围绕的至少一个开口。/n
【技术特征摘要】
20191121 KR 10-2019-01502711.一种半导体装置，包括：
半导体衬底；
漂移区，其设置在所述半导体衬底中，所述漂移区具有第一导电类型；
主体区，其设置在所述半导体衬底中，邻近于所述漂移区，所述主体区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；
漏极区，其设置在所述漂移区中，与所述主体区相对；
漏极隔离绝缘膜，其设置在所述漂移区的邻近于所述漏极区的一部分中；
栅极绝缘膜，其设置在所述半导体衬底上，并且在所述主体区的一部分和所述漂移区的一部分上方延伸；以及
栅电极，其设置在所述栅极绝缘膜上，并且具有在平面图中由所述栅电极完全围绕的至少一个开口。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口具有与所述漂移区重叠的区。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：
第一导电类型的杂质区，其设置在与所述至少一个开口重叠的区中。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述第一导电类型的杂质区的杂质浓度大于所述漂移区的杂质浓度。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一导电类型的杂质区与所述主体区间隔开。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一导电类型的杂质区与所述主体区之间的距离为至少0.1μm。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口包括闭合类型的多个开口。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述主体区、所述漂移区和所述漏极区在第一方向上布置，并且所述多个开口在所述主体区与所述漏极区之间在与所述第一方向交叉的第二方向上布置。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个开口被布置为多行。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口的平面形状具有圆形部分或者其内拐角为钝角。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个开口的面积与所述栅电极的面积之比在2:8至8:2的范围内。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
源极区，其设置在所述主体区中，并且具有所述第一导电类型，以及
主体接触区，其邻近于所述主体区中的源极区设置，并且具有所述第二导电类型。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述漏极隔离绝缘膜包括硅的局部氧化，其设置在所述半导体衬底的上表面的位于所述栅电极与所述漏极区之间的区上。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述漏极隔离绝缘膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：李奎沃，俞在炫，金贞敬，宋周泫，赵秀娟，洪元杓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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