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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括栅极牺牲层和栅极层交替叠置的叠层结构；形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的沟道孔，并在沟道孔的内壁依次形成阻挡层、电荷捕获层、隧穿层和沟道层，以形成沟道结构；形成贯穿叠层结构并延...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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