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本公开提供了一种光发射芯片的制作方法，包括：在磷化铟衬底上依次生长N型磷化铟缓冲层、下光限制层、多量子阱有源区、上光限制层和二氧化硅掩蔽层，腐蚀掉该磷化铟衬底任意一端的预设面积的二氧化硅掩蔽层、上光限制层、多量子阱有源区和下光限制层，得到无...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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