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本发明属于微电子器件制备技术领域，一种高性能SiC MOSFET器件的制备工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)在SiC晶片表面上沉积Si沉积膜，(3)对Si沉积膜进行自停止氧化，(4)对无C残留的SiO2/S...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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