一种高性能SiCMOSFET器件的制备工艺制造技术

本发明专利技术属于微电子器件制备技术领域，一种高性能SiC MOSFET器件的制备工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)在SiC晶片表面上沉积Si沉积膜，(3)对Si沉积膜进行自停止氧化，(4)对无C残留的SiO2/SiC界面结构进行退火处理，(5)SiC MOSFET源漏区及电极的制作。本发明专利技术优点是：在SiC上沉积的Si沉积膜后对Si/SiC结构进行自停止氧化，达到只氧化Si沉积膜而不氧化SiC衬底的目的，从而避免直接干氧氧化SiC在界面积累大量的C，形成缺陷。随后利用氧化后退火的工艺对残留的缺陷进一步消除，从而提升SiC MOSFET器件性能及稳定性，获得高性能的SiC MOSFET器件。MOSFET器件。MOSFET器件。

【技术实现步骤摘要】
1364946A]。该系统采用的是腔耦合式磁多级型微波等离子体源，可以利用永磁场电子绕磁力线做回旋运动同时利用反复为电子赋能，通过ECR微波放电可以将通入的气体激发为高活性、高密度、低离子损伤的等离子体。

技术实现思路

[0007]为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术目的是提供一种高性能SiCMOSFET器件的制备工艺。该制备工艺通过在适当氧化条件下氧化沉积在清洁的 SiC表面上的高质量Si薄膜，从而获得无C的SiC/SiO2界面结构，随后在ECR 微波等离子体的辅助下对SiC/SiO2界面结构中仍可能存在的界面及近界面缺陷进行钝化，从而提高SiC MOS器件的界面性能和稳定性。
[0008]为了实现上述专利技术目的，解决现有技术存在的问题，本专利技术采取的技术方案是：一种高性能SiC MOSFET器件的制备工艺，包括以下步骤：
[0009]步骤1、采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，具体包括以下子步骤：
[0010](a)将碳化硅晶片置于浓硫酸与双氧水的混合溶液中，80～150℃清洗10～60 min，再用去离子水淋洗碳化硅晶片表面数遍，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高性能SiC MOSFET器件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，具体包括以下子步骤：(a)将碳化硅晶片置于浓硫酸与双氧水的混合溶液中，80～150℃清洗10～60min，再用去离子水淋洗碳化硅晶片表面数遍，所述浓硫酸与双氧水的体积比为1:1；(b)将子步骤(a)中的碳化硅晶片取出置于一号清洗液中，60～90℃清洗1～10min，然后用浓度为0.1％～20％的氢氟酸水溶液清洗，再用去离子水淋洗碳化硅晶片表面数遍，所述一号清洗液是由水、双氧水和氨水按6:1:1～7:2:1体积比组成的混合溶液；(c)将子步骤(b)中的碳化硅晶片取出置于二号清洗液中，60～90℃清洗1～10min，然后用浓度为0.1％～20％的氢氟酸水溶液清洗，再用去离子水淋洗碳化硅晶片表面数遍，所述二号清洗液是由水、双氧水和盐酸按6:1:1～8:2:1体积比组成的混合溶液；(d)将子步骤(c)中的碳化硅晶片取出，采用红外灯烘干碳化硅晶片表面；步骤2、在SiC晶片表面上沉积Si沉积膜，利用机械泵和分子泵将PECVD、ALD、LPCVD或PVT反应腔室的真空度抽至10
‑5～10
‑7Torr，随后通入气体SiH4与Ar，其中：气体SiH4流量控制在50～400sccm，气体SiH4与Ar流量控制比为1：90～99，在SiC晶片上沉积Si沉积膜，沉积温度为500～900℃，沉积时间为15～60min，等离子体功率为100～800W；步骤3、对Si沉积膜进行自停止氧化，通过调节工艺参数，对Si沉积膜进行自停止氧化，在该工艺条件下只有Si沉积膜被氧化，从而可以获得无C残留的SiO2/SiC界面结构；具体的工艺条件是：...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德君，尹志鹏，尉升升，秦福文，刘兆慧，于洪权，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：