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本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括存储器单元，该存储器单元由具有分裂栅极型MONOS结构的FinFET构成，FinFET具有形成在多个鳍中的多个源极区域，并且多个源极区域通过源极线接触件共同连接。此外，FinFET具有形成在多个鳍中...
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