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兹描述通过将基板表面暴露于卤化物前驱物和铝反应物来沉积金属碳化物膜的方法。卤化物前驱物包含通式(I)MX...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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