【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】沉积金属碳化物膜的方法
本公开内容的实施方式一般地与膜沉积有关。尤其是，本公开内容的实施方式与实质上不含铝的金属碳化物膜的沉积有关。
技术介绍
在基板表面上沉积薄膜是多种产业中的重要工艺，这些产业包括半导体处理、扩散阻挡涂层及用于磁性读/写头的介电质。尤其，在半导体产业中，小型化要求原子等级的薄膜沉积控制，以在高深宽比的结构上产生保形的涂层。一种用于沉积薄膜的方法是原子层沉积(ALD)。大多数的ALD工艺是基于二元的反应程序，其中两个表面反应中的每一个依序发生。由于这些表面反应是依序的，故两个气相反应物未互相接触，而且可能形成和沉积颗粒的气相反应会受到限制。虽然ALD往往比传统的化学气相沉积(CVD)产生更保形的薄膜，但ALD的先前技术工艺已经是对于沉积金属氧化物和金属氮化物薄膜最有效的。尽管已经开发了几种可有效沉积元素钌和其他后过渡金属的工艺，但一般来说，用于沉积纯金属的ALD工艺仍不足以成功地被商业化使用。功函数(work-function)金属在金属氧化物半导体(MOS)晶体管应用中引起极大兴趣。已评估...
【技术保护点】
1.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：/n将基板表面的至少一部分暴露于第一卤化物前驱物，所述第一卤化物前驱物包含具有通式(I)的化合物/nMX
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180828 US 62/723,596;20190826 US 16/550,5231.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：
将基板表面的至少一部分暴露于第一卤化物前驱物，所述第一卤化物前驱物包含具有通式(I)的化合物
MXyRn(I)，
其中M为金属，X为选自Cl、Br、F或I的卤素，y为从1至6，R选自烷基、CO、环戊二烯基、脒盐、二氮杂二烯或酰胺酸盐，且n为从0至6；及
将所述基板表面的至少一部分暴露于铝反应物，所述铝反应物包含通式(II)的化合物
Al(CH2AR1R2R3)3(II)
其中A为C、Si或Ge，各R1、R2及R3独立地为烷基或实质上不包含β-氢，
以于所述基板表面上沉积金属碳化物膜，所述金属碳化物膜实质上不含铝。
2.如权利要求1所述的方法，其中M选自以下一或多种：Sc、Y、La、Ac、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Tc、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sn或Si。
3.如权利要求2所述的方法，其中M为Hf。
4.如权利要求1所述的方法，其中X为Cl或Br。
5.如权利要求1所述的方法，其中R为C1-6烷基。
6.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述第一卤化物前驱物及所述铝反应物的步骤依序发生。
7.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述第一卤化物前驱物及所述铝反应物的步骤同时发生。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述铝反应物选自以下一或多种：三新戊基铝(tris(neopentylidine)aluminum；NPA)或三(三甲基硅烷亚甲基)铝。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：重复所述方法以提供包含多于一种金属M的金属碳化物膜。
10.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：
将基板表面的至少一部分暴露于第一卤化物前驱物，所述第一卤化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉克马尔·C·卡拉塔拉格，杰弗里·W·安西斯，马克·沙丽，戴维·汤普森，林永景，陈世忠，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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