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本发明公开了一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法，该二级激发自毁芯片包括基底层和自毁结构；基底层为目标芯片；自毁结构设置于目标芯片的背面，包括加热电路、若干孔道以及含能材料层，道阵列式排布于目标芯片上的拟损毁区域，含能材料层覆盖...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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