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用于NAND存储器操作的架构和方法技术
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文档序号:28329288
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在一种用于读取包括第一存储单元串的存储器件的方法中,在预验证阶段内,在该第一存储单元串的选定的存储单元的栅极端子上施加第一验证电压,其中,该选定的存储单元被编程以及排列在第一相邻存储单元与第二相邻存储单元之间。在该第一存储单元串的未被编程的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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