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本发明涉及一种反熔丝结构及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、有源区和反熔丝区；利用离子注入工艺和沉积工艺，在所述半导体衬底上形成所述栅氧化材料层；在形成所述栅氧化材料层的半导体基板上形成栅电极...
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