反熔丝结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种反熔丝结构及其制作方法。所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、有源区和反熔丝区；利用离子注入工艺和沉积工艺，在所述半导体衬底上形成所述栅氧化材料层；在形成所述栅氧化材料层的半导体基板上形成栅电极；对所述栅电极和所述栅氧化材料层进行刻蚀，形成栅极和栅氧化层，其中所述栅氧化层覆盖反熔丝区，所述栅极覆盖所述栅氧化层，且所述栅氧化层的有效厚度不大于5nm；在所述半导体衬底内形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅氧化层两侧的所述有源区。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体存储器件
，尤其涉及一种反熔丝结构及其制作方法。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器)电路中广泛使用Anti-fuse(半导体结构反熔丝)存储单元进行修复工作。栅氧化层反熔丝存储单元作为其中的典型代表，具有面积小、成本低以及与半导体工艺兼容等优点。传统的栅氧化层反熔丝存储单元结构中，Poly与AA重叠区域在外接高压的条件下AA层与Poly层之间会发生击穿，从而AA层与Poly层导通。但是传统反熔丝结构中的编程(崩溃)电压过高，会对电路其他部分产生高压过冲的影响，导致可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术提供了一种反熔丝结构及其制作方法，以解决目前因编程(崩溃)电压过高对电路其他部分产生高压过冲所导致的可靠性较低的问题。本专利技术实施例提供了一种反熔丝结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、有源区和反熔丝区；利用离子注入工艺和沉积工艺，在所述半导体衬底上形成栅氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反熔丝结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、有源区和反熔丝区；/n利用离子注入工艺和沉积工艺，在所述半导体衬底上形成栅氧化材料层；/n在所述栅氧化材料层上形成栅电极；/n对所述栅电极和所述栅氧化材料层进行刻蚀，形成栅极和栅氧化层，所述栅极覆盖所述栅氧化层，且所述栅氧化层的有效厚度不大于5nm；/n在所述半导体衬底内形成掺杂区，所述掺杂区位于所述栅极的侧边。/n

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构、有源区和反熔丝区；
利用离子注入工艺和沉积工艺，在所述半导体衬底上形成栅氧化材料层；
在所述栅氧化材料层上形成栅电极；
对所述栅电极和所述栅氧化材料层进行刻蚀，形成栅极和栅氧化层，所述栅极覆盖所述栅氧化层，且所述栅氧化层的有效厚度不大于5nm；
在所述半导体衬底内形成掺杂区，所述掺杂区位于所述栅极的侧边。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅氧化层的有效厚度为1nm～3nm。


3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，利用所述离子注入工艺和所述沉积工艺，在所述半导体衬底上形成所述栅氧化材料层，包括：
在所述半导体衬底上形成掩膜层；
以所述掩膜层为掩膜，对所述反熔丝区内的所述半导体衬底进行氮离子注入；
通过高温热氧化法形成所述栅氧化材料层。


4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述氮离子注入，包括：
将氮气离子化，对所述半导体衬底进行离子注入。


5.如权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，在进行所述氮离子注入的过程中，氮离子的注入能量为25～30KeV，注入剂量为5×1014/cm2～2×1015/cm2。


6.如权利要求3所述的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雄，冯鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34