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本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有若干第一沟槽和第二沟槽；形成第一介质层，第一介质层覆盖第一沟槽和第二沟槽的侧壁及底部，第一介质层的底部具有向外的凹陷部；通过HDP CVD工艺形成第二介质层，第二...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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