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本发明涉及一种具备静电保护能力的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及制造方法；方法包括：提供衬底，于衬底上表面形成外延层；在外延层上刻蚀得到第一沟槽和第二沟槽；于第一沟槽和第二沟槽之内形成第一介质层和第一多晶硅层；在第二沟槽之内形成屏蔽栅；沉积第二...
该专利属于无锡惠芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡惠芯半导体有限公司授权不得商用。

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