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本发明涉及一种制备CFET器件的方法及CFET器件，包括：第一环绕式栅极结构和第二环绕式栅极结构的形成具体为：假栅去除后，形成界面层和高K介电层；沉积第一阻挡层和I型金属栅功函数层；填充隔离介质；对隔离介质选择性刻蚀，暴露出第一或第二堆栈部...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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