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本发明涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠结构、以及覆盖于所述第一堆叠结构表面的连接层；形成贯穿所述连接层的开口和贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述开口与所述第一沟道...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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