温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括衬底、衬底上方的栅电极、栅电极上的阻隔层、阻隔层上的多个电荷捕获层、多个电荷捕获层上的隧穿层、以及隧穿层上的多个沟道层。多个电荷捕获层是分立的并且设置在不同的层级...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。