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本公开的各个方面提供了用于制作半导体器件的方法。在一些示例中，一种用于制作半导体器件的方法包括形成具有第一区域和第二区域的层堆叠体。该层堆叠体至少包括第一层。之后，该方法在第一区域中在该层堆叠体上形成硬掩模层。之后，该方法包括在半导体器件的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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