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公开了一种包括中间布线层的三维闪速存储器及其制造方法。根据实施例，一种通过使用后端工艺制造三维闪速存储器的方法包括：在第一块中形成下串，第一块包括形成为在第一方向上延伸并且交替地堆叠的牺牲层和绝缘层；在其中形成有下串的第一块上生成串间绝缘层...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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