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提供了一种非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：基底；第一模制结构，设置在基底上并且包括多个第一栅电极；第二模制结构，设置在第一模制结构上并且包括多个第二栅电极；以及多个沟道结构，通过穿透第一模制结构和第二模制结构而与所述多个第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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