下载接触结构、半导体器件结构及其制备方法的技术资料

文档序号:28050216

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本发明涉及一种接触结构、半导体器件结构及其制备方法,接触结构包括:导电插塞;钝化保护层,覆盖所述导电插塞的侧壁。上述接触结构中通过在导电插塞的侧壁形成钝化保护层,防止导电插塞暴露于空气中,避免导电插塞的表面被氧化,在酸洗工艺中钝化保护层可以...
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