温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：基底；第一导电结构，位于所述基底表面；布线层，沿垂直于所述基底的方向嵌入所述基底与所述第一导电结构之间，且所述布线层沿平行于所述基底的方向延伸出所述第一导...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。