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本发明公开了一种硅控整流器包括：N阱和P阱形成于P型半导体衬底上部；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区形成于N阱上部；第二高浓度P型掺杂区和第二高浓度N型掺杂区形成于P阱上部；第三高浓度P型掺杂区形成于N阱和P阱分界处上方。本发明还...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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