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本发明涉及一种PIN肖特基二极管的碳化硅MOSFET，包括半导体主体，所述半导体主体包括N型区、P+源极区，所述P+源极区设置在N型区上，所述N型区的下表面覆盖了金属化漏极；所述N型区的上表面与P+源极区的侧面形成沟槽，在所述沟槽内设置了栅...
该专利属于成都杰启科电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都杰启科电科技有限公司授权不得商用。

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