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本发明提供了一种垂直栅半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽限定出光电二极管区和浮动扩散区；在所述沟槽中形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底的表面；对所述第一多晶硅层进行第一离...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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