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提供了一种半导体器件以及半导体器件制造方法。所述半导体器件可以包括：堆叠结构，所述堆叠结构位于衬底上，所述堆叠结构包括多个介电层和多个透明导电氧化物层，所述介电层和所述透明导电氧化物层交替地堆叠，沿竖直方向彼此相邻的每个所述介电层和所述透明...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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