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存储器元件制造技术
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文档序号:27980502
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本发明公开了一种存储器元件,该存储器元件包括一基板、一叠层结构、多个通道结构、多个存储层以及多个浅隔离结构。基板具有一上表面。叠层结构位于基板的上表面上,其中叠层结构包括交替堆叠于上表面上的多个绝缘层及多个导电层。通道结构穿过部分的叠层结构...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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