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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容结构、多个钝化层以及一垫结构，该电容结构位在该基底上，该多个钝化层位在该电容结构上，该垫结构位在该多个钝化层中。该垫结构包括一垫下导电层以及一垫上导电层，该垫下...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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