半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容结构、多个钝化层以及一垫结构，该电容结构位在该基底上，该多个钝化层位在该电容结构上，该垫结构位在该多个钝化层中。该垫结构包括一垫下导电层以及一垫上导电层，该垫下导电层包含镍，该垫上导电层位在该垫下导电层上。该垫上导电层包含钯、钴或其组合。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法
本公开主张2019年10月3日申请的美国正式申请案第16/591,865号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本公开涉及一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别涉及一种具有一垫结构的半导体元件，以及具有该垫结构的该半导体元件的制备方法。
技术介绍
半导体元件是使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸是逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，是增加不同的问题，且影响到最终电子特性、品质以及良率。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率以及可靠度方面的挑战。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括：一基底；一电容结构，位在该基底上；多个钝化层，位在该电容结构上；以及一垫结构，位在该多个钝化层中。该垫结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：/n一基底；/n一电容结构，位在该基底上；/n多个钝化层，位在该电容结构上；以及/n一垫结构，位在该多个钝化层中；/n其中该垫结构包括一垫下导电层以及一垫上导电层，该垫下导电层包含镍，该垫上导电层位在该垫下导电层上，该垫上导电层包含钯、钴或其组合。/n

【技术特征摘要】
20191003 US 16/591,8651.一种半导体元件，包括：
一基底；
一电容结构，位在该基底上；
多个钝化层，位在该电容结构上；以及
一垫结构，位在该多个钝化层中；
其中该垫结构包括一垫下导电层以及一垫上导电层，该垫下导电层包含镍，该垫上导电层位在该垫下导电层上，该垫上导电层包含钯、钴或其组合。


2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该多个钝化层包括一第一钝化层、一第二钝化层以及一第三钝化层，该第一钝化层位在该电容结构上，该第二钝化层位在该第一钝化层上，该第三钝化层位在该第二钝化层上，其中该垫下导电层位在该第一钝化层中，并电性耦接到该电容结构。


3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第四钝化层以及一接合开口，该第四钝化层位在该第三钝化层上，该接合开口位在该第四钝化层中，其中该第四钝化层包含聚酰亚胺，而该垫上导电层经由该接合开口而暴露。


4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，该接合开口的一宽度小于该垫上导电层的一宽度。


5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括多个间隙子，贴合到该垫结构的两侧。


6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括多个位元线，位在该基底与该电容结构之间，且沿着一第一方向延伸，其中该多个位元线形成如波形线。


7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一绝缘结构，位在该基底中，其中该绝缘结构界定出多个主动区，该多个主动区沿着一第二方向延伸，其中该第二方向与该第一方向呈对角线。


8.如权利要求7所述的半导体元件，还包括多个字元线，位在该基底中，且沿着一第三方向延伸，其中该第三方向与该第一方向呈对角线，并与该第二方向垂直。


9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该电容结构包括多个电容底电极、一电容隔离层以及一电容顶电极，该多个电容底电极位在该基底上，该电容隔离层位在该多个电容底电极上，该电容顶电极位在该电容隔离层上。


10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括多个支撑结构，部分地贴合在该多个电容底电极的外表面，其中某些支撑结构沿着该第一方向延伸并相互间隔设置，其他的支撑结构则沿着该第三方向延伸并相互间隔设置。


11.一种半导体元件，包括：
一基底；
一栅极结构，位在该基底上；
多个钝化层，位在该栅极结构上；以及
一垫结构，位在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71