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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体领域。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，通过采用多步刻蚀的方法在芯轴结构的侧壁上形成侧墙的过程，从而实现了在逐步形成侧墙的同时，及时修正侧墙的形貌，进而保证了所形成的侧墙的垂直形貌和奇...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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