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本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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