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本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构...该专利属于无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过无锡英诺赛思科技有限公司;清华大学无锡应用技术研究院授权不得商用。