温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的实施例涉及集成电路。根据本公开的一方面，提供了一种集成电路，包括：半导体衬底，具有正面、第一区域和第二区域；其中，半导体衬底的第一区域包括被形成在第一沟槽中的掩埋晶体管的竖直栅极，第一沟槽竖直延伸到半导体衬底中，相对于正面下到第一深...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。