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本发明属于半导体的技术领域，公开了一种高可靠性氮化镓基功率器件，自下而上包括衬底和氮化镓基层，在所述氮化镓基层的两端分别设置有源电极和漏电极，在其中部设置有栅电极，在所述栅电极和漏电极之间的区域自下而上还设置有阻隔层、钝化层，在所述栅电极和...
该专利属于上海工程技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海工程技术大学授权不得商用。

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