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在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶体管器件及形成其的方法，所述集成晶体管器件包含布置在衬底上方的第一势垒层。另外，未掺杂层可以布置在第一势垒层上方且具有横向紧接p沟道器件区的n沟道器件区。未掺杂层的n沟道器件区具有最顶部表面，所述最顶部表...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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