温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例提供一种产生集成电路的掩模数据准备方法。根据本发明的一些实施例,一种产生集成电路的方法包含:由处理器接收第一IC设计布局;由所述处理器用第一差异区域替换所述第一IC设计布局中的特定区域;由所述处理器对所述第一差异区域与所述第一I...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例提供一种产生集成电路的掩模数据准备方法。根据本发明的一些实施例,一种产生集成电路的方法包含:由处理器接收第一IC设计布局;由所述处理器用第一差异区域替换所述第一IC设计布局中的特定区域;由所述处理器对所述第一差异区域与所述第一I...