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公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次形成在衬底上的牺牲层、在牺牲层上的第一停止层、在第一停止层上的具有N阱的P型掺杂半导体层、以及在P型掺杂半导体层上的介电堆叠层。形成各自...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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