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在一些实施例中，本发明涉及集成电路器件。晶体管结构包括通过栅极电介质与衬底分隔开的栅电极和设置在位于栅电极的相对侧上的衬底内的一对源极/漏极区域。下导电插塞设置为穿过下层间介电(ILD)层并且接触第一源极/漏极区域。覆盖层设置在下导电插塞正...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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